採用TEM分析晶體結構　AlGaN磊晶光學性質再強化

作者： 鮑忠興
2022 年 12 月 29 日
用氮化鋁鎵(AlGaN)磊晶為主要材料製造的深紫外光(Deep ultraviolet, DUV)發光二極體(Light-emitting diodes, LEDs)元件，其優異的光學性質和體積小的特性，逐漸取代水銀燈和氙氣燈，成為攜帶型生化檢查系統、淨水器、紫外光微影曝光機等的光源[1-3]。藉由各種改善磊晶層結構品質的方法，可以進一步增進現階段氮化鋁鎵深紫外光發光二極體的光學性質[4,...
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